Intel DC S3700 400GB SSD

SSD Intel DC S3700 kombinuje vynikající výkonnost s vysokou odolností a silným zabezpečením dat. Jedná se o ideální úložnou kapacitu pro datová centra, kterým poskytne okamžitý, vysoký a maximálně konzistentní přístup k informacím. 

Vysoký a konzistentní výkon

Disky řady Intel DC S3700 předávají data s extrémní rychlostí, trvale nízkou latencí a malým rozsahem IOPS. Při čtení 4kB bloků nabídnou výkon až 75 000 IOPS, u zápisu pak maximálně 36 000 IOPS. Díky minimálnímu rozptylu výkonnosti a nízké maximální latenci poskytují konzistentní odezvu v libovolný okamžik. Když k tomu přičtete nízkou spotřebu elektrické energie, okamžitě získáte ideálního partnera pro aplikace datových center. 

Maximální zabezpečení dat

Kompletní ochrana End to End zabezpečuje data od okamžiku, kdy vstoupí na disk, až do chvíle, kdy jeho prostor opustí. Disk využívá pokročilé schéma korekce chyb, které zajišťuje datovou integritu. S jeho pomocí brání poškození dat v pamětech NAND, SRAM i DRAM. Zároveň chrání data i při transportu, a to pomocí několika technik, například kontroly parity, cyklické kontroly redundance (CRC) a ověřování LBA tag.

Jakmile je chyba detekována, je okamžitě zahájen pokus o její opravu. V případě, že se jedná o neopravitelnou chybu, je nahlášena uživateli. Disk rovněž obsahuje dostatek rezervní paměti, která slouží pro dočasné ukládání dat a minimalizaci jejich potenciální ztráty.
 
SSD Intel DC S3700 podporuje 256bitový šifrovací algoritmus AES (Advanced Encryption Standard) pro maximální zabezpečení dat proti jejich zcizení nebo neoprávněné manipulaci s jejich obsahem.
 
Nechybí ani systém redukující potenciální ztrátu dat způsobenou nepředvídatelnými výpadky elektrické energie. Vychází z automatické zálohy veškerých dat z vyrovnávací paměti před vypnutím disku.

 

Technologie High Endurance

Disk využívá pokročilý systém paměťových buněk High Endurance Technology (HET). S jeho pomocí adoptuje výhody SSD s jednoúrovňovými buňkami (SLC) a přenáší je do výrobně levnějších MLC. S využitím technologie HET tak můžete disk každý den 10x celý přepsat (DWPD) a stejně budete mít zajištěnu minimálně 5letou životnost.

Parametry a specifikace:

Technologie:
Intel 25nm NAND Flash
High Endurance Technology (HET) Multi-Level Cell (MLC)

Rychlost:
Náhodné čtení / zápis 4 kB: 75 000 / 36 000 IOPS
Sekvenční čtení / zápis: 500 / 460 MB/s
Latence čtení / zápis: 50 / 65 mikrosekund

MTBF:
2 000 000 hodin